Ausgangspunkt für eine Anwendung des Arrays in einer Applikation und für die elektrische Vermessung ist eine AVT, die das Array in Chipform zu einem handhabbaren mikrotechnischen Bauteil vervollständigt. Es wurden hierfür zwei Chipträgervarianten entworfen (s. a. Abb. 11):
| Variante | A | B (Abb. 11) |
| Größe | 50 mm |
40 mm |
| Trägermaterial | Keramik | glasfaserverstärktes Epoxyd |
| Leitbahnmaterial | PdAg, Bondfläche Au | Cu |
| Leitbahnführung | unterhalb des Arrays | außerhalb des Arrays |
| Anschlüsse | vierkant; Kantenmontage | rund; Lochmontage |
Zur Vermeidung mechanischer Spannungen wurde das
Array nicht flächig aufgeklebt, sondern mit einer Maske ein dünner
streifenförmiger Film Silikonkleber aufgebracht. Da das Array aus
technologischen Gründen (Bondelektrode für anodisches Waferbonden) auf
der Rückseite metallisiert ist, mußte bei der Variante B eine
Isolierfolie zwischen Arraygrundwafer und Chipträger geklebt werden,
um Kurzschlüsse der Trägerleitbahnen zu vermeiden. Die elektrischen
Verbindungen zwischen Array und Chipträger wurden durch Drahtbonden
vorgenommen. Die Bondinseln des Arrays liegen aus technologischen
Gründen (Vermeiden des Eindringens von Kühlwasser beim Zersägen des
Wafers) in Gräben, aus denen heraus auf den Chipträger gebondet werden
mußte. Bondversuche mit dem Ultrasonic-Bondverfahren und Al-Draht
waren nicht erfolgreich, weil der Bonddraht vom Keilbond im Array
nicht steil genug weggeführt werden kann und somit der Bonddraht die
leitfähige Bondgrabenkante berührt. Gute Ergebnisse wurden mit dem
Thermosonic-Bondverfahren und Golddraht erzielt. Hier führt der
flexiblere Golddraht vom Kugelbond im Bondgraben senkrecht nach oben.
Zur Gewährleistung eines sicheren Abstands zur Bondgrabenkante, wurde
eine Abstandsfolie aufgeklebt (Abb. 12). Die Bondtemperatur konnte in
Versuchen auf
C gesenkt werden, was Schädigungen am Chipträger B
und der Klebeverbindung ausschließt.